AlSiC
AlSiC композиты выходят сейчас на первое место в мире по распространенности в системах силовой электроники, СВЧ и системах мощного LED освещения, т. к. традиционно используемые для оснований теплоотводящие материалы (такие как алюминий, медь и др.) уже не соответствуют требованиям, предъявляемым к новым приборам силовой электроники из-за высокого КТЛР, значительного веса или стоимости.
Использование оснований IGBT, изготовленных из металлматричного композиционного материала (ММКМ) на основе алюминиевого матричного сплава, армированного наполнителем – частицами карбида кремния, с высоким (до 70 %) содержанием SiC может служить эффективным решением этой проблемы. Такой материал при низкой стоимости исходных материалов обладает невысокой плотностью, регулируемым ТКЛР, высокой теплопро­водностью, прочностью и твердостью. Уникальное сочетание свойств матричного сплава и наполнителя позволяет путем изменения соотношения компонентов регулировать физические свойства получаемого ММКМ AlSiC.
В таблице ниже приведены основные характеристики полученного нами материала AlSiC.
| № | Наименование параметра, единица измерения |
Значение |
| 1 | Удельная плотность, г/см3 | от 2,9 до 3,1 |
| 2 | КТЛР, α, 10-6 °С-1 | от 6,0 до 8,0 |
| 3 | Прочность на изгиб, σи, МПа | не мене 250 |
| 4 | Теплопроводность, Вт/м*К | не менее 180 |